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F-CDM_3kV 靜電放電測試平臺
過去人們對於人體模型(HBM)和機器模型(MM)相當重視,而忽視了帶電器件模型(CDM)對器件造成的損壞,研究表明,器件本身帶電造成的損壞遠遠多於 HBM 和 MM。積體電路等器件本身由於接觸分離或者摩擦帶電,在接觸或者處理器件時會發生放電,最常見的 ESD 就是典型的 CDM 靜電放電。CDM 與HBM 和 MM 無論從測試原理方法還有程式上都有很大的不同。通過人員和設備的接地就可以控制 HBM 和 MM,而 CDM 是器件對其他物體造成的損壞,不可能通過接地來控制。F-CDM 是按照標準 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018、AEC_Q100-011/Q101-005設計的專門測試 CDM 的模擬器,具有試驗電壓寬、精度高、解析度高、穩定性好等優點,集成了高倍顯微鏡、自動電機、CDM模組於一體。

產品特點:

  1. 內置標準等級,方便型式試驗的測試;
  2. 全智慧程式控制式設計,液晶顯示、操作方便;
  3. 全進口關鍵器件,半導體電子開關,壽命長,性能穩定;
  4. 適用於半導體器件、微電子器件、厚膜器件和電阻器基片、壓電晶體的靜電放電試驗;
  5. 符合標準ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018、AEC_Q100/Q101的要求。

技術指標:

放電模式

CDM模式

符合標準

ANSI/ESDA/JEDEC JS-002

放電電容

6.8pF/55pF

符合標準

AEC_Q100-011/Q101-005(選配)

放電電容

4pF/30pF(選配)

放電電壓

100~3000V

放電模式

單次、雙次

極性

正、負或自動交替

放電次數

1-9999次

放電間隔

1-9999s